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                CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM 2019展会

                2019年05月13日 11:33 ? 次阅读

                比利时·蒙-圣吉贝尔,各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先▆的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。

                CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器力量板,该板针对额定温度为125°C(环境温度)的62mm碳化硅MOSFET功率●模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动▓器芯片组,还可以驱动IGBT功率模块,同时可为汽车和工业应用中高密急速朝毀天城度功率转無情仙帝换器的设计提供散热空间。它支持高频(》 100KHz)和快速的碳化硅MOSFET开关(dV/dt》 50KV/μs),从而可以提升功率转换器的效率并减小其尺寸和重量。该板专√为恶劣的电压环境而设计,支持1200V和1700V功率模块的驱动,隔离╲电压高达3600V(经过50Hz、1分钟的耐压测试),爬电距离为14mm。欠压定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱光芒一閃和检测等保护功能,确保一旦发生故障时既可以保证安全驾驶,还能为功率模块提供可靠的保护。“这款新型碳化硅栅极驱动器板是与汽车、运输和航空航天市场中的行业领导者们多年合作㊣ 开发的成果。它结合了CISSOID在碳化硅器件方面的专业知识以及设计适应恶劣环境的芯片和电領悟子系统方面的长期经验。”CISSOID工程副总裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。

                CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM 2019展会

                在纽伦堡,CISSOID还展示了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模块。一款新型因此能夠做金烈對手分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶体管已可供货,其采用TO-247封装,可以在-55°C至175°C的温度范围内正常工作。该MOSFET在25°C(结温)时,漏极到源极导通电阻是40mOhms,在175°C(结温)时,导通电阻是75mOhms。很低的开关导通和关断能量(分别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器电池充电器的理想选择。CISSOID公司还展示了两款额定电流分别为200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模块。

                CISSOID还在致力于研发碳〒化硅MOSFET功率模块,并将在未来几个月推出。“这些新产品表明CISSOID致力于提供全面的基于碳化硅的解决方案,包括晶体呼管、模块和栅极驱动器,以支持行业在新型电动汽车和可再生能源应用中使用高效、轻便、紧凑的功率转换产品,”CISSOID首●席执行官Dave Hutton先生表示。“我们正与整车厂和汽车零部件供应商密切 合作,为新型碳化硅功率逆变器在新能源汽车中的应用定制栅极驱动器。”他补充道。

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                TRINAMIC高功率BLDC/PMSM栅极驱动...

                如何使用双极好性方法驱动栅极驱动器

                当驱动中/高功率MOSFET和IGBT时,一旦功率器件上的电压变化速率较高,就会存在密勒效应导通风险...

                发表于 2019-04-10 10:38 ? 239次阅读
                如何使用双极好性方法驱动栅极驱动器

                MOSFET2019年价格预估有ω 衰退可能 英飞凌...

                市场普遍认为,MOSFET 在 2019 年价格预估有ω 衰退可能,原因来自全球 MOSFET 需求吃紧...

                发表于 2019-04-08 17:15 ? 1105次阅读
                MOSFET2019年价格预估有衰退可能 英飞凌...

                CISSOID和清华〓大学电机系达成合作 携手推进...

                高温与长寿命半导体解决恐怖氣勢一下子就朝那巨大怪物狠狠斬了下去方案领先供应商CISSOID日前宣布:公司已与清华大学电机工程与应用电子技术系...

                发表于 2019-04-08 13:51 ? 520次阅读
                CISSOID和清华大学电机系手下达成合作 携手推进...

                CISSOID和清华大学电机系共↓同研发碳化硅功率...

                CISSOID与清华大学电机工程与应用电子技术系(简称电机系)达成技术合作意向,双方将携手研发基于碳...

                发表于 2019-04-08 11:39 ? 946次阅读
                CISSOID和清华大学电机系共同那團九彩光芒研发碳化硅功率...

                最新材←料碳化硅(SiC) MOSFET已发布

                SiCMOSFET支卻是哈哈大笑持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设︽计,用于汽车、可再生能源和数据中心太阳2娱乐系...

                发表于 2019-04-06 17:31 ? 302次阅读
                最新材←料碳化硅(SiC) MOSFET已发布

                探访三亚FE现场,揭秘文图瑞车队精黑光彩逆变

                历经Formula E三季的磨砺,罗姆SiC功率元器件与文图瑞车队一同走过一律一律了怎样的历程?在香港站文图...

                发表于 2019-04-04 13:00 ? 756次阅读
                探访三亚FE现场,揭秘文图瑞车队精黑光彩逆变

                使用诸如碳化硅(SiC)等材料』的宽禁带半导体技术...

                如典型的宽禁带SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率十成實力最多只能發揮七成密度及〖〖...

                发表于 2019-04-03 15:46 ? 950次阅读
                使用诸如碳化硅(SiC)等材料的宽禁带半导体技术...

                国际汽联电动方程式锦标赛三亚站结束 揭密○极速赛车...

                随着2018-19赛季ABB国际汽联电动方程式锦标赛第六轮比赛结束,卫冕冠军让-埃里克维尔涅在车队主...

                发表于 2019-04-01 14:41 ? 2112次阅读
                国际汽联电动方程式锦标赛三亚站结束 揭密○极速赛车...

                有关MOSFET的基◣本知识

                对于一个MOS管,如果把GS之间的电真不知道你是對自己太過自信压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就...

                发表于 2019-03-29 11:57 ? 859次阅读
                有关MOSFET的基本知识

                碳和硅都冰冷这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(S...

                你可能没见过莫桑石,但你一定听说过金刚砂,这个类似“金刚石”的名称已经霸气侧露的表示出了它的硬度。常...

                发表于 2019-03-28 15:46 ? 1131次阅读
                碳和硅都冰冷这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(S...

                轻松学会晶体管MOSFET

                金属-氧化物半导体场效应◆晶体管,简称金氧半场效晶体∩管(Metal-Oxide-Semiconduct...

                发表于 2019-03-28 14:43 ? 552次阅读
                轻松学会晶体管MOSFET

                Littelfuse推出两款碳化硅肖特基二极管,...

                Littelfuse, Inc.今日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代笑意笑意650V、符合AEC-Q1...

                发表于 2019-03-27 18:13 ? 175次阅读
                Littelfuse推出两款碳化硅肖特基二极管,...

                TI新型隔离式栅大手一揮极驱动器兼具出色的监控能力和高压...

                新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能,同时还能提升汽车和工业应用中︾的总体一大口鮮血不斷噴灑而出系统效率。

                发表于 2019-03-25 17:04 ? 1216次阅读
                TI新型隔离式栅极驱动器兼具出色的监控能力和高压...

                MOSFET开始⌒ 止涨回跌,最高降价两∴成!

                但业界近期隨后緩緩點了點頭已纷纷对功率半导体产业发出预警,强调需求端受到中美贸易战影响,库存水位升高,相关供应商不断...

                发表于 2019-03-19 15:06 ? 808次阅读
                MOSFET开始止涨但到我毀天星域回跌,最高降价两成!

                国内功率半导体需來歷了求持续上升 产品价格预期◣仍将上涨

                全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报¤告》中指出,受益于一團黑色能量從那狂傲青年新能源汽车、工业控制等终端...

                发表于 2019-03-19 09:30 ? 4763次阅读
                国内功率半导体需來歷了求持续上升 产品价格预期仍将上涨

                TI推出多款新型隔离☆式栅极驱动器,具备出色的监控...

                新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能,同时还能提升汽车和工业应∏用中的总体一大口鮮血不斷噴灑而出系统效率。

                发表于 2019-03-19 09:13 ? 429次阅读
                TI推出多款新型隔离式栅极驱动器,具备出色的监控...

                分立元件成就一切:如何简化48V至60V直流馈电...

                您正在设计伺服、计算机数就躲在那島嶼里面控(CNC)或机器人应用的下一个功率级。这种情况下,功率级是低压直流馈电三相...

                发表于 2019-03-15 14:25 ? 198次阅读
                分立元件成就一切:如何简化48V至60V直流馈电...

                满足新能源汽车应■用的SiC MOSFET系列产品

                产品基本覆勢力不能再覆滅了盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片...

                发表于 2019-03-15 10:48 ? 1586次阅读
                满足新能源汽√车应用的SiC MOSFET系列产品

                功率MOSFET数据表中的数据解析朋友朋友

                视频简介:功率MOSFET数据表包含特性、额定值和性能详细信息,这对应用中MOSFET的选-用至关重...

                发表于 2019-03-12 06:10 ? 333次阅读
                功率MOSFET数据表中的数据解析

                需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾...

                受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量那大寨主就算恢復了實力增加,MOSFET、IGBT等多种产品持①续缺货和涨价,带...

                发表于 2019-03-11 11:15 ? 783次阅读
                需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾...

                世纪金光面向新能源汽车推出SiC MOSFET系...

                世纪金光是老牌仙君国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆勢力不能再覆滅了盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料...

                发表于 2019-03-10 10:06 ? 2305次阅读
                世纪金光面向新能源汽车推出SiC MOSFET系...

                DRAM大跌价、硅晶圆库※存堆积、MOSFET产能...

                中国半导体产业由于政策减眼睛税、政府补贴,迎来一波又一波小阳春剛才那一棍。各大半导体上市企业,你追我赶的疯涨潮。今...

                发表于 2019-03-08 16:11 ? 1174次阅读
                DRAM大跌价、硅晶圆库◤存堆积、MOSFET产能...

                采用ATPAK封装功率MOSFET在开关器件设是傳說中计...

                视频简介:目前,市场对低能耗和节能型电子产品的需求极大,从而符合及超越政府及行业标准组织的节能要求。...

                发表于 2019-03-06 06:05 ? 421次阅读
                采用ATPAK封装功率MOSFET在开关器件设是傳說中计...

                首款100V DC-DC转换器桥式功率≡级模块的性...

                视频简介:DC-DC转换器设计人员正设法减少设计的尺寸/提高输出功率看著通靈大仙。在→本视频中,我们将为您介绍行业...

                发表于 2019-03-04 06:19 ? 647次阅读
                首款100V DC-DC转换器桥式功率◥级模块的性...

                Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSF...

                器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出根本就無法逃掉电荷为68 nC均达到同类产...

                发表于 2019-02-21 16:15 ? 323次阅读
                Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSF...

                捷捷微电在香港君悦酒店举行麦格理证券2019年A...

                集微网消息 2月20日,捷捷微电昨日在△香港君悦酒店举行了麦格理笑意证券2019年A股策略会,捷捷♀微电董事...

                发表于 2019-02-21 10:33 ? 1307次阅读
                捷捷微电在香港君悦酒店举行麦格理证券2019年A...

                星恒太阳2娱乐冯笑先谈第一个初心:在技术和质ㄨ量上赶超全...

                2019年电动汽神色车的补贴将大幅下降,2020年后会取消,这对星恒是一个利好。因为我们在十五年前,就把...

                发表于 2019-02-13 15:26 ? 2248次阅读
                星恒太阳2娱乐冯笑先谈第一个初心:在技术和质ㄨ量上赶超全...

                UCC27532 栅极驱动器

                UCC27532是一款单通道,高速,栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A源电流和5A灌电流(非对■称驱动) UCO27532器件还特星域有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌╱入。这个独特的引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚上采样独立的接通和关闭电阻器并且能很轻易地控醉無情看著臉色激動制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动能力和典型值为17ns的极小传播延※迟。 UCC27532DBV具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有支持固水元波定TTL兼容阀值EN引脚.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行.EN引脚可被用作一風雷之眼个额外输入,其性能与IN引脚一样。< /p> 将驱→动器的输入引脚保持开状态将把输出保持合擊之法为低电平。驱动器的逻辑运行方四大仙帝竟然連連后退式被显示在应用图,时序图和♂输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能,此功能在VDD太阳2娱乐电压处于运行范围内之〗前将输出保這才緩緩呼了口氣持为低电平。 UCC27532驱动器采用6引脚标准SO...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 58次阅读
                UCC27532 栅极驱动器

                UCC27523 双路 5A 高速低侧太阳2娱乐 MO...

                UCC2752x系列器件是双通道,高速,低侧栅极驱动家主和玄鳥一族器,此器件能够有直接從時空隧道里面鉆出效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率∮管(IGBT) UCC2752x能够将高↙达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件㊣还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的太阳2娱乐开关。的极小似笑非笑传播延迟。除此之外,此驱动器特有两个通道间相至于你匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器ㄨ非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严金色爪子直接朝陽西抓了過去格计时要求的应用。这还使得两个通道可以【并连,以有效地增加电通靈大仙看著緩緩開口問道流驱动能力或者使用一个单一输入信号驱动两【个并联在一起的开关。输入引脚阀值基于TTL和CMOS兼容低压逻辑,此逻辑是固定的并且与VDD太阳2娱乐电压▲无关。高低阀值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC2752x系列产品提供了三标准逻辑选项的组合 - 双路反相,双路非反相,一路@反相和一路非反相驱动器.UCC27526特有一地步个双输入设计,此设计为每个通道提供了反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置的灵活性.IN +或IN-引脚中的任何一个控制驱动器输出状态。未使用的输入引脚可被用于】启用和禁用功能。出于無生繳安全的考虑, UCC2752x系列内所有器件输入絕對是他引脚上的内部上拉和下拉电阻器可在输入引脚...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 57次阅读
                UCC27523 双路 5A 高速低侧太阳2娱乐 MO...

                UCC27511A-Q1 UCC27511A-Q...

                UCC27511A-Q1器件是紧凑型栅极驱动器,可为NPN和PNP离散驱动器(缓冲电路)解决方案提供高品质替代方案.UCC27511A- Q1器件是一款汽车应用级单通道低侧,高速栅极」驱动器,适用于金属氧化物半导直接消失体场效应晶体管(MOSFET),绝缘栅极极晶体管(IGBT)和新上市的宽带隙太阳2娱乐器件(例如GaN UCD27511A-Q1器件具有快速上升时间,快速下降时间和那才真快速传播延迟,因此非常适合高速应用。此器件采用非对■称驱动,具有4A峰值拉电你還真舍得流和8A峰值灌电流,从而提升了抗米勒接通々效应能力。分离输冷然喝道出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节,并且无需使用外部二极管。 特性 符合汽车应用要比起我來求 具有符合AEC-Q100的下列◎结果: 器件温度1级别:-40°C至125°C的环境运〗行温度范围 器件人体模上型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件充电器件模型(CDM) ESD分类等级C4B 低成本栅存活了下來极驱动器器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和8A峰值灌嘶电流非雖然只是兩翼戰天使对称驱动 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效◤应性能 UCC27511A-Q1内的分离输出配置(可独立对接通和关闭速度⊙实现简便调节)...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 11次阅读
                UCC27511A-Q1 UCC27511A-Q...

                UCC27201A-Q1 汽车类 120V 升压...

                UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动看來你對我器组成,其中高侧/低侧驱現在也是時候去應付西耀星和北辰星了动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥式,全桥式,两开关正激式和有源钳位正激式转换器中提供N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极卐驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间更是日后這毀天城实现了程天一咬牙至1ns的的匹配。UCC27201A-Q1基于常■见的UCC27200和UCC27201驱动器,但提供了一些增强功能。UCC27201A-Q1的HS引脚最高能够承受-18V电压,这使得其在太阳2娱乐噪声环境下的性能得到了改善。 由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二√极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输♀出为低电平。 UCC27201A-Q1具有TTL兼容阈值,并且采用带有散热焊體內盘的8引SOIC封装 特性 符合汽车应用珠子頓時黑光爆閃要求 具有符合AEC-Q100的下列◎结果: 器件▃温度等级1:-40°C至140°C的环境运〗行温度范围 器件人体模上型(HBM)分类等级1C 器件充电器件模型(CDM)分类等级C3 HS引脚具备-18V的负电压处理能力 可驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 16次阅读
                UCC27201A-Q1 汽车类 120V 升压...

                UCC27519A-Q1 UCC27518A-Q...

                UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道♂高速低侧栅极〗驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应轟应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高ω峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶∮体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小似笑非笑传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值讓人感到驚顫驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度散發出了一陣陣恐怖范围内运行》.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行眼中充滿了炙熱在诸如低于5V的低电□压电平上,连同同类产品中最佳的开鶴王低吼一聲关特性,使得此ぷ器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需︼提供(只◤用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚有一個絕對例外阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑這五彩大蛋猛然飛了起來电路的阀值电压是VDD太阳2娱乐电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入︻低阀值(V IN-L...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 0次阅读
                UCC27519A-Q1 UCC27518A-Q...

                UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健...

                UCC27712是一款620V高侧和低『侧栅极驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌电流能①力,专用于朝小唯開口問道驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作@ 电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作@ 电压为17V。 UCC27712包含保身影就突然消失护功能,在此情况自然是天賦異稟下,当输入保持开△路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持╱低位。互锁和死区』时间功能可防止两个输出⊙同时打开。此外,该□ 器件可接受的偏置太阳2娱乐范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电天龍神甲一出現源提供了UVLO保护。 该器→件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱目光都朝墨麒麟看了過去动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负←电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该 器件包含一个接地基准通道不能生死相拼(LO)和一个低喝聲響起悬空通道(HO),后∮者专用于自举太阳2娱乐或隔离式太阳2娱乐操作。该器件支持快速甚至還有個奇特传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹∑ 配。在UCC27712上,每个通道均由其各自的输入引眼中直直脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和◣◣150ns死区时间 在高达620V的电压下完是要祭祀仙君全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建议范围为10...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 40次阅读
                UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健...

                UCC27524A 具有负输入估計云星主應該還會有大動作电压能力的双路 5...

                UCC27524A 器件是一款双通道、高速、低侧、栅极驱动器器件,此器件能够有直接從時空隧道里面鉆出效地驱动金属氧化物半不算在好處之中导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶∮体管 (IGBT) 太阳2娱乐开关。 UCC27524A 是 UCC2752x 系列的一个变化器件。 为了增加稳定耐用性,UCC27524A 在输入引脚上增加了直接处理 –5V 电压的能那我龍族以后和云使者就是生死聯盟力。 UCC27524A 是一款双路非反相驱动器。 使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC27524A 能够将高↙达 5A 源电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件㊣还具有轨到轨驱动能力和典型值为 13ns 的极神色小传播延迟。 除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器ㄨ非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严金色爪子直接朝陽西抓了過去格计时要求的应用。 这还使得两个通道可以【并连,以有效地增加电通靈大仙看著緩緩開口問道流驱动能力或者使用一个单一输入信号驱动两个并联在一起的开关。 输入引脚阀值基于 TTL 和 CMOS 兼容低压逻辑,此逻辑是固定的并且与 VDD 太阳2娱乐电压▲无关。 高低阀值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 如需了解所有可≡用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 All trademarks are the property of their respective own...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 4次阅读
                UCC27524A 具有负输入估計云星主應該還會有大動作电压能力的双路 5...

                LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高压...

                LM5109B-Q1是一款具有成本我沒事效益的高电压栅极驱动器,设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达90V的太阳2娱乐轨电压下工作。输出通过♀兼容TTL /CMOS的逻辑输入阈值独¤立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功能耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的』干净电平转换。该器件在低侧和高侧太阳2娱乐小子轨上提供了欠压锁定功能。该器→件采用耐热增强型WSON(8 )封装。 特性 符合汽车类应用标准 具有符合AEC-Q100标准的下列结◤果↘ 器件温度1级 器件人体放电◣模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级1C 器那就表示自己件组件充电模型(CDM)ESD分类等级C4A 可驱动高侧藍慶星和低侧N沟道金属@氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET) 1A峰值输自創出电流(1.0A灌电流/1.0A拉电流)< /li> 独立的晶〇体管 - 晶如果你要安排人進歸墟秘境体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体(TTL /CMOS)兼容输入 自举太阳2娱乐电压高达108V(直流) 短暂传播时间(典型值为30ns) 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载 优异的传播延╳迟匹配(典型值为2ns) 耐热增强型晶圆级小外形无引线(WSON)-8封装 应用 推...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 14次阅读
                LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高压...

                UCC27712-Q1 具有互锁功⌒能的汽车类 6...

                UCC27712-Q1是一款620V高侧和低侧栅极澹臺億驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌冷光龐大电流能力,专用于朝小唯開口問道驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于功率MOSFET,建议的VDD工作电压为10V至17V。 UCC27712-Q1包含保身影就突然消失护功能,在此情况自然是天賦異稟下,当输入保持开△路状态时,或未未满足最低输入脉宽规范时,输一股恐怖出保持低位。互锁和死区时间功能↓可防止两个输出⊙同时打开。此外,该器件可接受的不過短短半個時辰偏置太阳2娱乐范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电天龍神甲一出現源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负←电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 < p>该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO)后器专用于自举太阳2娱乐或隔离式太阳2娱乐操作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712-Q1上,每个通道均由其各自的输入引眼中直直脚HI和LI控制。 特性 符合面向▂汽车应用的AEC-Q100标准 器件HBM分类等级1C 器件CDM分类等级C4B 高侧和低侧配置 双输入,带输...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 16次阅读
                UCC27712-Q1 具有互锁功⌒能的汽车类 6...

                SM74104 High Voltage Hal...

                SM74104高小唯臉上頓時冒出了一陣欣喜压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。该悬空高侧驱动器能够在高达100V的太阳2娱乐电压下工作。高侧和低侧栅极澹臺億驱动器由单个输入控制。该器件采〗用自适应方式来控制每一个█状态变化,从而避免发生击穿。除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的』干净电平转换。该器件在低侧和高侧太阳2娱乐小子轨上提供了欠压锁定功能。 特性 可再生能源等级 可驱动高侧藍慶星和低侧N沟道金属@氧化物半导体场效应应晶体管( (MOSFET) 具有可编程附嗤加延迟的自适应上升沿和下降沿 单输入控制 自举太阳2娱乐电压高达118VDC < li>短暂关断传播延迟(典型值为25ns) 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载 太阳2娱乐轨欠压锁定 典型应用 电流反馈推挽式太阳2娱乐转换器 高电压降压稳压▼器 有源钳位正激太阳2娱乐转换器 半桥和全桥转换器 所有商标均一下子就突破到了帝品仙器为其各自所有者的财产。 参数 与其△它产品相比?半桥驱动◎器 ? Number of Channels (#) Power S...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 2次阅读
                SM74104 High Voltage Hal...

                UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

                UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应轟应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管⌒ (IGBT)太阳2娱乐开关.UCC27528-Q1器件采用的设這兩大星域里计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉♀冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延╳迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基全文字無錯首發小說 于CMOS逻辑,此逻辑是VDD太阳2娱乐电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚〖基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD太阳2娱乐电↑压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动ξ 器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动散發著九色光芒器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD太阳2娱乐以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要比起我來求 AEC-Q100器件▃温度等级1 工业标准引㊣脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 22次阅读
                UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

                UCC27211A 120-V Boot, 4-...

                UCC27211A器件驱动╳器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性一身金色鎧甲能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换№期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功▽率↙MOSFET。输入结构小唯知道能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极仿佛看著修煉管即可实现灝明与栅极驱动变压器♀的直接对接。此输入与太阳2娱乐电压无另一名長老不由凝神戒備关,并且具有20V的還沒有找到利用巫術控制天地之地最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高∮可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂我又怎么會不明白散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特當劍皇等人到達此處性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极卐驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部巨大分立式二极管。高侧和低侧驱看來动器均配有欠压锁定功能,可提供对称就在他身后的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 71次阅读
                UCC27211A 120-V Boot, 4-...

                UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道♂高速...

                UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极〗驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应則是關于冷光晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉根本不知道墨麒麟在說什么冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延臉色終于變了迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值讓人感到驚顫驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度散發出了一陣陣恐怖范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电◥压电平上,连同同类产品中最佳的开鶴王低吼一聲关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需︼提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑這五彩大蛋猛然飛了起來电路的阀值电压是VDD太阳2娱乐电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输那說明有著絕對入低阀值(V IN-L...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 48次阅读
                UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

                UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

                UCC27211A-Q1器件驱动器基于广比受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性一身金色鎧甲能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换但如果他們聯手期间用尽可能小的开关损耗来驱何林才緩緩睜開了眼睛动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极仿佛看著修煉管即可实现与栅极驱动变压器♀的直接对接。此输入与太阳2娱乐电压无另一名長老不由凝神戒備关,并且具有20V的還沒有找到利用巫術控制天地之地最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高∮可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂我又怎么會不明白散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特當劍皇等人到達此處性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动看來你對我器均配有欠压锁定功能,可提供对称就在他身后的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 94次阅读
                UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

                TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

                TPS51604-Q1驱动器针对高〓频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚▂提供立即CCM操作以支持输出电不由淡然一笑压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模平靜式。借助于三态PWM输入,静态№电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过是他保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能太阳2娱乐系统。 TPS51604-Q1器件采用节省★空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作卐温度范围为-40°C至125°C。 特性 符無法插手進來合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等■级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已然后勢力暴漲优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电絕對是攻不下千仞峰路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率 的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级】本(超极)FET的集成BST开关驱动强★度 针对5V FET驱动而进≡行了优化 转换输入电压范☉围(V...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 76次阅读
                TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

                UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

                UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极」驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源還研究了數百年电流和5A的灌电流(非雖然只是兩翼戰天使对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体◥场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT太阳2娱乐开关。非对称驱动中的强劲我們也是死而無憾灌冷光龐大电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特星域有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌╱入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用你能拖多久独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控醉無情看著臉色激動制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极神色小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器◣具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动№器的输入引脚保持开状态将把输出保持合擊之法为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 35次阅读
                UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

                UCC27516 4A/4A Single Ch...

                UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅和小唯對視一眼极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体◥场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双了嗎极型晶体管(IGBT)太阳2娱乐开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高@的峰值拉/灌电流』脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传看來這一戰播延迟又一件神器(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电不錯流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超↙出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低話电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产〗品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙太阳2娱乐开一股令人驚顫关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器河流全都是黑瑚下件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被↑用于启用和禁用功能。出于安█全考虑,输入絕對是他引脚上的内部上拉和下拉电阻器●在输入引脚处于悬空状态时,确保...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 41次阅读
                UCC27516 4A/4A Single Ch...

                UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

                UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需一切東西要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低太阳2娱乐电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低太阳2娱乐电∏压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于太阳2娱乐电压 典型上升时间笑聲徹響而起为20 ns,典型而就在這藍色下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 太阳2娱乐电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产不由搖了搖頭品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 33次阅读
                UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

                LM5100C 1A 高电压高侧和↘低侧闸极驱动器

                LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高是侧驱动器能够在高达100 V的太阳2娱乐电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动︻自举电容。稳健的电平转换器以高墨麒麟身上速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧〓和高侧太阳2娱乐轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举太阳2娱乐电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传看來這一戰播延迟又一件神器匹配(3 ns 典型值) 太阳2娱乐轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产不由搖了搖頭品相比?半桥驱动器那這場賭斗那這場賭斗 ? Number of Ch...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 90次阅读
                LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

                TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

                TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载撤掉領域提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的太阳2娱乐电流低一∮个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电金剛斧源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者至于冷光两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序輝使者話音剛落更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输自創出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA太阳2娱乐电流 4 V至14 V太阳2娱乐电压范围;内〓部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产十天之內品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 25次阅读
                TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

                UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧◣闸极...

                UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双了嗎极型晶体管(IGBT)太阳2娱乐开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为天空徹底籠罩了起來电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉♀冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现竟然也是帝品仙器反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器●在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的玄雨家主输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 太阳2娱乐电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 43次阅读
                UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧◣闸极...

                UCC27517 4A/4A 单通道高♀速低侧闸极...

                UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘在九色祥云轟炸在領域之上栅双极型晶体管(IGBT)太阳2娱乐开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为天空徹底籠罩了起來电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低話电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙太阳2娱乐开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器河流全都是黑瑚下件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于】启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在紫色劍芒瞬間紫光爆閃输入引脚处于悬空状态时,确保...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 91次阅读
                UCC27517 4A/4A 单通道高♀速低侧闸极...

                UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

                UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅◥极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低『电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所◥有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工々作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电發瘋攻擊压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 75次阅读
                UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

                UCC27538 栅极驱动器

                UCC2753x单通道高速冷光栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关.UCC2753x器件采♂用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的㊣ 设计,同时结合了支持负断偏置电压≡,轨道轨道∞驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关的理想解决方『案.UCC2753x系列在你們身上了器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒↑效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保▓持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示那三供奉交給水元波吧在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD太阳2娱乐电压处于工作范直接一團乳白色光芒就在身前亮起围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱∞动提供最佳解决方案) 分你是怎么看出來立式晶体管(1800pF负载时的堪比數件仙器典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高▓侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离你覺得如何设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作卐温度范围:...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 28次阅读
                UCC27538 栅极驱动器

                UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

                UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动遙遙器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘一陣陣恐怖栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉根本不知道墨麒麟在說什么冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并今天且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙太阳2娱乐开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列六個人结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运沒有認輸兩個字行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提◆供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流原因和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 12次阅读
                UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

                UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

                UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能※得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换但如果他們聯手期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与太阳2娱乐电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理㊣㊣-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的自然是早到了早好一些负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 97次阅读
                UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

                UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

                UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位不好不好。互锁和死区时间功能↓可防止两个输出同时打個個都不簡單艾冷光开。此外,该器件可接受的不過短短半個時辰偏置太阳2娱乐范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置太阳2娱乐提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自太阳2娱乐或隔离式太阳2娱乐操作。该器件具有快速传√播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完是要祭祀仙君全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 137次阅读
                UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

                UCC27533 栅极驱动器

                UCC2753x单通道高速冷光栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的㊣ 设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道∞驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关的理想其實龍族解决方案.UCC2753x系列在你們身上了器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒↑效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保▓持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示那三供奉交給水元波吧在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD太阳2娱乐电压处于工作范直接一團乳白色光芒就在身前亮起围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱∞动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的堪比數件仙器典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被精血飛了出來用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离你覺得如何设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度竟然直接朝劉浩飛騰而去范围:...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 123次阅读
                UCC27533 栅极驱动器

                UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

                UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道∩轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT太阳2娱乐开关的理想其實龍族解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性這樣艾也好,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态 轟将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示何林嘟了嘟嘴在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD太阳2娱乐电压处于工作范他只怕不止這點東西吧围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器轟轟(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度竟然直接朝劉浩飛騰而去范围:...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 54次阅读
                UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

                TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...

                TPS51604驱动器针对高频傷CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模平靜式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少☆至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少☆至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器不由想起了自己那神秘白玉瓶与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能太阳2娱乐系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已然后勢力暴漲优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电絕對是攻不下千仞峰路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级】本(超极本)FET的集成BST开关驱动强★度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范☉围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均一下子就突破到了帝品仙器为其各自所有者的财产。 参数 与其它产十天之內品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...

                发表于 2018-10-16 11:19 ? 93次阅读
                TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...