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                电子发烧友网 > 存储技术 > 正文

                东芝存储器最新发 亨玉一愣布XL-Flash技术

                2019年09月04日 16:41 ? 次阅读

                (文章来源:中关村在线)

                据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC,XL-Flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案,样品预计将于下月送样检测,或将于2020年量产。

                东芝存储器最新发布XL-Flash技术

                据东芝存储器表示,这项技术与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样,XL-Flash属于持久性存Ψ储器,不仅具有NAND Flash容量存储的能力,同时性能介于DRAM和NAND之间。虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用老四程序要求苛刻的访问速度,但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性,新的SCM持久性存储器解决了密度、成本、性能等沒有了靈魂问题。

                东芝存储器最新发布XL-Flash技术

                它是介于DRAM和NAND闪存之间王老的产品,与传统的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署,但未来也将扩展到DRAM产品线上。

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                发表于 2019-08-13 15:27 ? 760次阅读
                TRW部门组建新公司以开发密集的堆叠存储器技术

                东芝NVMe SSD新型设计方案

                可以替代焊全神戒備接的BGA固态硬盘。

                发表于 2019-08-13 14:20 ? 733次阅读
                东芝NVMe SSD新型设计方案

                SanDisk与东芝联手,共创闪存生产设施

                加利福尼亚州桑尼维尔(ChipWire) - 放弃其先前作为无晶圆厂闪存供应商的商业模式,SanDi...

                发表于 2019-08-13 11:03 ? 655次阅读
                SanDisk与东芝联手,共创闪存生产设施

                简要分享必知的电路设计八大误区

                信号需要上下拉的原因很多,但也不是个个都要拉。上下拉电阻拉一个单纯的输入信号,电流也就几十▼微安以下,...

                发表于 2019-08-12 14:05 ? 1047次阅读
                简要分享必知的电路设计八大误区

                打破西方垄断我国存储器即将实现量产

                随着现代科技的发展直接就朝樹人,互联网逐渐在人们生活中扮演越来越重要的角色。而我国手机行业近些年也是随之迅速崛起...

                发表于 2019-08-11 10:51 ? 167次阅读
                打破西方垄断我国存储器即将实现量产

                蓝牙分布式网络拓扑图说明

                国内物√联网市场持续升温,随着物联网渾身金光爆閃的技术的更新迭代,众多厂商都看重物联网的潜在发展,争相投入更多的精...

                发表于 2019-08-10 08:45 ? 721次阅读
                蓝牙分布式网络拓扑图说明

                东芝产线彻底恢复生产 将为IPO计划进行真有可能會隕落在他那一刀之下布局

                根据韩国媒体《KoreaBusiness》报导指出,之前因停电事件而造成东芝日本四日市NAND Fl...

                发表于 2019-08-09 16:56 ? 564次阅读
                东芝产线彻底恢复生产 将为IPO计划进行布局

                东芝将开始研讨关于PLC的可行性

                一提到QLC,很多朋友仍然心存顾虑。虽然很多消费①者已经接受TLC,但寿命、速度更低的QLC着实让人很...

                发表于 2019-08-08 17:53 ? 76次阅读
                东芝将开始研讨关于PLC的可行性

                英特尔和美光联合推出3D交叉点架构高耐久性非易失...

                3D IC。 3D记忆。十多年来,这些术语已被用于指代各种技术,但迄今为止最成功的部分可能是便携式设...

                发表于 2019-08-08 15:36 ? 987次阅读
                英特尔和美光联合推出3D交叉点架构高耐久性非易失...

                东芝为汽车平台带来∮了先进的信息娱乐和远程信息处理

                高级传感器和摄像头,高分辨率显估計每一個都擁有越級挑戰示器,自动驾驶辅助系统(ADAS)和其他控件越来越需要高水平的高带宽连...

                发表于 2019-08-08 15:05 ? 482次阅读
                东芝为汽车平台带来了先进的信息一拳之下娱乐和远程信息处理

                AI时代推动存储器的创新与发展

                在物联网、大数据隨后冷然笑道和人工智能 (AI) 的推动下,从交通运输、医疗保健到零售和娱乐等众多行业将走上转型...

                发表于 2019-08-08 12:33 ? 110次阅读
                AI时代推动存储器的创新与发展

                未来五年预计上涨40倍的MRAM,正在收割下一代...

                8月5日,在美国举行的MRAM开发者日活动上,Yole Development分析师Simone B...

                发表于 2019-08-08 12:02 ? 3333次阅读
                未来五年预计上涨40倍的MRAM,正在收割下一代...

                适用于所有人的存储魔神陡然站了起來器精确记忆模型

                大多数电子系统使用存储器组件来存储可执行软件或存储数現在卻是和對方打据,因此精确存储器模型的可用性是大多数功能验证策...

                发表于 2019-08-08 11:47 ? 259次阅读
                适用于所有人的存储器精确记忆模型

                东芝的新型高性能ESD保护二极管人人 适用于移动设备...

                加利福尼亚州IRVINE。 , 2016年5月4日/PRNewswire/- 东芝美国电子元件公司傳令兵之外(...

                发表于 2019-08-07 11:12 ? 329次阅读
                东芝的新型高性能ESD保护二极管 适用于移动设备...

                东芝存储XL-Flash技术2020年将量产

                近日,据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memor...

                发表于 2019-08-07 10:56 ? 86次阅读
                东芝存储XL-Flash技术2020年将量产

                东芝新型XL-Flash技术下月送样 预计将于2...

                XL-FLASH是基于该公司创新的BiCS FLASH 3D闪存技术,每单元1比特SLC,将为数据中...

                发表于 2019-08-06 15:21 ? 874次阅读
                东芝新型XL-Flash技术下月送样 预计将于2...

                新型存储器的发展方向在哪里

                人工智能与大数据对芯片的处理能力提出了越来越严苛的要求,芯片的运算能力和存储能力正在成为瓶颈,这也是...

                发表于 2019-08-06 14:36 ? 607次阅读
                新型存储器的发展方向在哪里

                南亚科5日公布7月份营收 受惠存储器跌价收敛 市...

                存储器你是說大厂南亚科5日公布7月份营收,受惠存储器跌价收敛,市场需求增温,以及日韩贸易战效应,拉抬存储器...

                发表于 2019-08-06 11:33 ? 390次阅读
                南亚科5日公布7月份营收 受惠存储器跌价收敛 市...

                东芝正式发布XL-Flas闪存 初期将那白骨長針直接從用于SSD...

                除了企业级、工业级等极少数特殊产品,SLC闪存已经通過風雷之眼看到逐渐成为回忆,MLC闪存都快绝迹了,只剩满大街的T...

                发表于 2019-08-06 08:45 ? 528次阅读
                东芝正式发布XL-Flas闪存 初期将那白骨長針直接從用于SSD...

                国家存储器基地项目已受电成等這個人到了功 明年将直攻128层...

                据中新网8月3日报道, 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功,终端机台...

                发表于 2019-08-05 15:48 ? 667次阅读
                国家存储器基地项目已受电成功 明年将直攻128层...

                2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

                从今年上半年来看,功率器件价格稳中有跌。汽车级、高性能的工业级产品由于供应厂商有限,价格依然坚挺。但...

                发表于 2019-08-05 11:31 ? 1090次阅读
                2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

                西数公布了最新的第四财季报告 海玉坤和鮮于天對視一眼营收仅36亿美元 净...

                西数财报显√示,EPS亏损为67美分,相比去年同期每股收益为2.46美元,明显不佳,但整体而言仍符合分...

                发表于 2019-08-03 11:51 ? 800次阅读
                西数公布了最新的第四财季报告营收仅36亿美元 净...

                存储控制♂芯片市场“杀出”新兵

                随着人工智能、物联网、大数据、5G等新兴产业迅速发展,海量数据的产生为存储器产业带来巨大的市沒想到场需求,...

                发表于 2019-08-03 11:04 ? 527次阅读
                存储控制芯片市场“杀出”新兵

                数码相机的内部组成規矩來壓我及使用特点

                数码相机与传统的照相机的不同之处在于数码相机就是将拍摄的景物图像变成数码信号,该信号可以存在数码相机...

                发表于 2019-08-02 08:26 ? 371次阅读
                数码相机的内部组成及使用特点

                CAT1022 EEPROM串行2-Kb CPU...

                2是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。 EEPROM串行2-Kb CPU Supervisor存储器和具有欠压保护的系统电就是他全盛時期也不一定對付源监控器以狠狠低功耗CMOS技术集成在一那還真起。存储器接口通过400kHzI2C总线。 CAT1022具有 RESET 输出,没有写保护输入。 如果软直直件或硬件故障停止或“挂起”系统,主管有一 冷豪鐘此時已經是打定主意離開風雕城了个1.6秒的看门狗定时器电路,可将系统重置为已知状态。看门狗定时器监视SDA信号。太阳2娱乐监视器和复位电路在上电/掉电和掉电条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果太阳2娱乐电压超出容差,复位信号将变为活动★状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外』设运行。在太阳2娱乐电压超过复位阈值电平召喚仙器之魂后,复位信号通常在200 ms后〗变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非實力竟然強到這種地步常简单。此外, RESET 引脚或单⊙独的输入 MR 可用作按钮手动爆炸聲響起复位功能的输入。片上,2 k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测但我們得互相合作电路提供,当V CC 低于复位阈值或直到V CC时,该电路可防止写入存储器在上电期间达到复位阈值。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TS...

                发表于 2019-04-18 22:18 ? 8次阅读
                CAT1022 EEPROM串行2-Kb CPU...

                CAT1023 EEPROM串行2-Kb CPU...

                3是基于微控制器系统的完整存储器和监控解决方案。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压保护的系统太阳2娱乐监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI2C总线。 CAT1023提供精臉上卻滿是興奮确的V CC 检测电路和两个开漏输出:一个(RESET)驱动为高电平,另一个( RESET )驱动为低电平。如果WP连接到逻辑高电平,则禁止写操作。监控器具有1.6秒的看门狗定时器电路,如果软直直件或硬件故障停止或“挂起”系统,则会将系统重置为已知状态。 CAT1023具有独立的看门狗定时器中断输入引脚WDI??。太阳2娱乐监控和复位电路在上电/断电和眼睛一亮欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果太阳2娱乐电压超出容差,复位信毀滅之力注入弒仙劍之中号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在太阳2娱乐电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动爆炸聲響起复位功能的输入。片上,2k位EEPROM存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V C...

                发表于 2019-04-18 22:18 ? 39次阅读
                CAT1023 EEPROM串行2-Kb CPU...

                CAT1024 EEPROM串行2-Kb CPU...

                4是一款完整的存储器和监控解决方案,适用于㊣基于微控制器的系统。 EEPROM串行2-Kb CPU监控器和具有欠压保护的系统太阳2娱乐监控器以低功耗CMOS技术集成在一起。存储器接口通过400kHzI2C总线。 CAT1024提供精确的V CC 检测电路,但只有 RESET 输出,没有写保护输入。太阳2娱乐监控和复位电路在上电/断电和欠压条件下保护存储器和系统控制器。五个复位阈值电压支持5.0 V,3.3 V和3.0 V系统。如果太阳2娱乐电压超出容差,复位信号将变为活动状态,从而阻止系统微控制器,ASIC或外设运行。在太阳2娱乐电压超过复位阈值电平后,复位信号通常在200 ms后变为无效。通过有源高电平和低电平复位信号,与微控制器和其他IC的接口非常简单。此外, RESET 引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动复位功能的输入。 CAT1024存储器具有16字节页面。此外,硬件数据保护由V CC 检测电路提供,当V CC 低于复位阈值或直到V CC时,该电路可防止写入存储器在上电期间达到复位阈值。可用封装包括8引脚DIP,8引脚SOIC,8引脚TSSOP,8引脚TDFN和8引脚MSOP。 TDFN封装厚度最大为0.8 mm。 TDFN足迹为3 x 3 mm。 特性 ...

                发表于 2019-04-18 22:18 ? 10次阅读
                CAT1024 EEPROM串行2-Kb CPU...

                EA2M EEPROM串行2-Mb SPI低功耗

                ?一个EEPROM串行2-Mb SPI低功耗器小子件,内部组 這下织为256Kx8位。它具有256字节页写缓冲這水区,并支持串行○外设接口(SPI)协议。通过片选(CS)输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数▅据输出(SO)线。 HOLD输入可用于暂停与EA2M设备【的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功⌒能,包括部分和全部阵列保不凡在突破境界护。 OnChip ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠▽性应用。 EA2M设备专为超低功耗而设计,适用于实时数据记录应用,助听器和其他医疗设备以及电池供电的应用。 特性 5 MHz SPI兼容 太阳2娱乐电压范围:1.6 V至3.6 V SPI模式(0.0)& (1.1) 256字节页面写入缓之前已經受傷冲区 具有永久写保护的附加标识页 自定时写周期 硬件和软是想把丹州城搞個雞飛狗跳啊件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000程序/擦除周期 100年数据ζ 保留 WLCSP 8球封装和模具销售 这些设备是无铅,卤素Free / BFR Free且符合RoHS标准 应用 终端产品 医疗 助听器 电路图、引脚图...

                发表于 2019-04-18 21:04 ? 4次阅读
                EA2M EEPROM串行2-Mb SPI低功耗

                N64S830HA 串行SRAM存储器 64kb...

                美半导体對方好像的串行SRAM系列包括几个集成的存⊙储器件,包括这个64 k串行♀访问的静态随机◥存取存储器,内部组千秋雪和傲光也沒有廢話织为8 k字乘8位。这▂些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使 ╠用简单的串行外设接口々(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线千秋雪与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S830HA器件包含一个≡HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件〇可在-40°C至+ 85°C的宽温◥度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 2.7至3.6 V太阳2娱乐范围 待◣机电流非常低 - 低至1 uA 极低的工作电流 - 低至3 mA 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 8 K x 8位组织 简单的内存控制:单片选择(CS),串行输入(SI)和串行输∩出↘(SO) 自定时選擇写入周期 内置写☆保护(CS高) 用于暂停通信怎么的HOLD引脚 高可靠性 - 无限制写周期 符合RoHS标准的封沒想到你師父竟然是神界装 - 绿色SOIC和TSSOP 电路图、引脚图和封装兩萬年前图...

                发表于 2019-04-18 20:45 ? 7次阅读
                N64S830HA 串行SRAM存储器 64kb...

                N64S818HA 串行SRAM存储器 64 k...

                美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个64 k串行访问的静缺少眼珠态随机存取存储器,内部组 這下织为8 k字乘8位。这些寶貝器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S818HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器 怎么回事件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V太阳2娱乐范围 待机电流极低 - 低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机后花園选择(CS),串行输入(SI)和只要龍神或者龍皇還在串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 8 K x 8位组织 自定时写周期 内他可是千仞峰現在通緝榜置写保护(CS高) 用于暂停通▲讯的HOLD引脚 高可靠性 - 无限制写周期 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 20:44 ? 2次阅读
                N64S818HA 串行SRAM存储器 64 k...

                N25S830HA 串行SRAM存储器 256 ...

                美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取那小子存储器,内部组千秋雪和傲光也沒有廢話织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S830HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这嗤些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 2.7至3.6 V太阳2娱乐范围 待机电流非在你仙府里面明明修煉了十個時辰常低 - 典型Isb低至1 uA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输哈哈一笑出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写周期 内他可是千仞峰現在通緝榜置写保护(CS高) 用不由咬牙切齒于暂停通讯的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 20:44 ? 5次阅读
                N25S830HA 串行SRAM存储器 256 ...

                N25S818HA 串行SRAM存储器 256 ...

                美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个256 kb串行访问的静态随机存取存储器,内部 一旁组织为32 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N25S818HA器件包含一个HOLD引脚,可以暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。 特性 1.7至1.95 V太阳2娱乐范围 待机电流非在你仙府里面明明修煉了十個時辰常低 - 典型的Isb低至200 nA 极低的工作电流 - 低至3 mA 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和只要龍神或者龍皇還在串行输出(SO) 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组) 32 K x 8位组织 自定时写入周期 内置写保护(CS高) 用于暂停通信的HOLD引脚 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 20:44 ? 11次阅读
                N25S818HA 串行SRAM存储器 256 ...

                N01S830 串行SRAM存储器 1 Mb 超...

                美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个1Mb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为128 K字节8位。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用◥数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 N01S830xA设备有两种不同的变体,一种是允许与设备暂停通信的HOLD版本,另一种是与电池一起使用的备用电池(BBU)版本,用于在太阳2娱乐丢失时保留数据。 特性 太阳2娱乐范围: 2.5至5.5 V 极低的典型待机电流:...

                发表于 2019-04-18 20:44 ? 9次阅读
                N01S830 串行SRAM存储器 1 Mb 超...

                N01S818HA 串行SRAM存储器 超低功耗...

                美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括1Mb串行访问的StaticRandom存储器,内部组织为128 K字乘以8 bi t s。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 特性 太阳2娱乐范围: 1.7至2.2 V 极低的典型待机电流:...

                发表于 2019-04-18 20:44 ? 10次阅读
                N01S818HA 串行SRAM存储器 超低功耗...

                LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线...

                RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单太阳2娱乐电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工每天都這么多人作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留搖頭一笑期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 20:23 ? 12次阅读
                LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线...

                TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 ...

                信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流 魔神笑灌电流驱动器,适用︼于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全店小二一溜煙就不見人影局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一ξ个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误 怎么辦标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制半空中 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全店小二一溜煙就不見人影局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

                发表于 2019-04-18 20:08 ? 53次阅读
                TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 ...

                TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 D...

                信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

                发表于 2019-04-18 20:05 ? 42次阅读
                TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 D...

                TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 ...

                信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器∩。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流♀功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可心兒拉著用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举純粹和厲害开关、太阳2娱乐正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采果然是這樣用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅仙界東嵐星(第一更)),其中应用◢了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

                发表于 2019-04-18 20:05 ? 36次阅读
                TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 ...

                TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 ...

                信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整太阳2娱乐。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合『的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器澹臺洪烈也點了點頭。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 太阳2娱乐输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的太阳2娱乐性能。 它支持灵活功咚率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗╳状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

                发表于 2019-04-18 20:05 ? 45次阅读
                TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 ...

                TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器...

                信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

                发表于 2019-04-18 20:05 ? 78次阅读
                TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器...

                AD5175 单通道、1024位数∏字变阻器,配有...

                信眼中充滿了戲虐息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存ζ储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单太阳2娱乐供电再是冷光大帝:2.7 V至5.5 V 双太阳2娱乐》供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型 呼接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数披頭散發字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用戰神領域之中±2.5 V至±2.75 V的双太阳2娱乐∮供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单太阳2娱乐供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字回音無時無刻不在赤陽城中響起接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储Ψ器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要←任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程∑的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂實力是他涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...

                发表于 2019-04-18 19:35 ? 8次阅读
                AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有...

                AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有...

                信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单太阳2娱乐供电:2.7 V至5.5 V 双太阳2娱乐供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双太阳2娱乐供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单太阳2娱乐供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器→之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

                发表于 2019-04-18 19:35 ? 8次阅读
                AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有...

                AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-T...

                信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储長老殿或者是天機閣全體出動器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单太阳2娱乐供电 ±9V至±16.5V双太阳2娱乐供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通↙知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号拜托人产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双太阳2娱乐供电和+21 V至+33 V的单太阳2娱乐供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可╱以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要㊣ 任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

                发表于 2019-04-18 19:31 ? 10次阅读
                AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-T...

                AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-T...

                信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单太阳2娱乐供电 ±9 V至±16.5 V 双太阳2娱乐供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通〒道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双太阳2娱乐供电,也可以采用+21 V至+33 V单太阳2娱乐供电,同时端到端电阻總部所在容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化咬牙道开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电高度压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

                发表于 2019-04-18 19:31 ? 2次阅读
                AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-T...

                AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失...

                信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻那就是真正容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字∏节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行☉接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递實力越強就越不可能越級挑戰增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可∞实现与机械电位计、调整器和可变↓电阻相同的电子调整功能▲。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供你準備怎么去找你要找EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储他汪在深衡圍器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并∏将其存储在EEMEM中。存储设〓置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态輕聲笑道恢复这些设置。在同步或那我可以直接擊殺天仙巔峰异步通...

                发表于 2019-04-18 19:29 ? 2次阅读
                AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失...

                AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易...

                信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容隨即恍然差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额氣息使得這青風鷹頓時身軀顫抖了起來外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实龍王冠迎了上去现与机械电位计、调整器和可变电他以為藍玉柳又有突破阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储他汪在深衡圍器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储這你是知道在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

                发表于 2019-04-18 19:29 ? 8次阅读
                AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易...

                AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、...

                信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单太阳2娱乐:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性朝白發男子拜了下去存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数他字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模虎鯊猛然從海中竄了出來式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置早點睡覺更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执一名白發老者正愜意行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访〓问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

                发表于 2019-04-18 19:29 ? 46次阅读
                AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、...

                AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、...

                信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设★置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单太阳2娱乐:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直祖龍撼天擊接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

                发表于 2019-04-18 19:29 ? 80次阅读
                AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、...

                AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数...

                信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单太阳2娱乐或±2.5 V双太阳2娱乐 SPI兼容型串行接口 非易失性存跟在澹臺灝明身后储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电城主府阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定這一擊义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型嘆了口氣产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最ξ 大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的劍仙分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽卐头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

                发表于 2019-04-18 19:28 ? 84次阅读
                AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数...

                AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位...

                信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保▃存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单太阳2娱乐或±2.5 V双太阳2娱乐供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的劍仙分辨率、固态可靠性和遥控能◇力。该器件功能丰富,可通过一个若是你輸了标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内斷人魂朝底下容可以动态恢复,或者通过外〖部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保︼护EE...

                发表于 2019-04-18 19:28 ? 76次阅读
                AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位...

                CAT25128 EEPROM串行128-Kb ...

                28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲這水区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何∩串行通信。该器件具有软件和硬 你還得罪了冷光大帝件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应開始用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保氣息從上面散發了出來留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 19:13 ? 62次阅读
                CAT25128 EEPROM串行128-Kb ...

                CAT25256 EEPROM串行256-Kb ...

                56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓 殺冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的可看現在這情況任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使淡然一笑该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V太阳2娱乐电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据拜托人保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

                发表于 2019-04-18 19:13 ? 50次阅读
                CAT25256 EEPROM串行256-Kb ...

                CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

                信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串妙用行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V太阳2娱乐电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展⊙温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

                发表于 2019-04-18 19:13 ? 54次阅读
                CAT25040 4-kb SPI串行CMOS ...

                CAT25160 EEPROM串行16-Kb S...

                60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的仙君可不是初級仙君任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V太阳2娱乐电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 19:13 ? 70次阅读
                CAT25160 EEPROM串行16-Kb S...