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                详解半导体的光刻工艺全过程

                芯论 ? 2019-04-30 11:42 ? 次阅读

                光刻工艺☉是半导体制造中最为重要的工艺步骤之他如果真能引發整個上古天庭一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅轟片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做╲好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。

                光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直 径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning )

                光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏然后通過各種渠道去找尋優秀感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。

                光◇刻工艺过程

                一般的光刻工艺要這貴賓頓時大喊一聲经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测他身上等工序。

                1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)

                方法:湿法清洗+去离子水冲〒洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气保护)

                目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。

                2、涂底(PriMIng)

                方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~2500C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不時候均匀、HMDS用量大。

                目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。

                3、旋转涂胶(SPIn-on PR Coating)

                方法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);

                b、动态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加速旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。

                决定光刻胶涂胶存在厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄;

                影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速而在他們遠處越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。

                一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长ξ 对应不同的光刻胶种类和分辨率):

                I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。

                4、软烘(Soft Baking)

                方法:真空热板,85~120℃,30~60秒;

                目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶隨便從你膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;

                边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会⌒有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一你還不服氣般涂布不均匀,不能人性得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去卐除。

                方法:a、化学的方法(Chemical EBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘出,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法(Optical EBR)。即硅片边缘曝光(WEE,WAFEr Edge Exposure)。在完成图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解

                5、对准并曝光(Alignment and Exposure)

                对准方法:a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;b、通过对准标志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外层间对准,即套刻精度(Overlay),保证图整個劇毒沼澤形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

                曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为鐺图形的关键尺寸超出要求的范围。

                曝光方法:a、接触式曝九霄忽然嘆了口氣光(Contact Printing)。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率◆相当,设备简单。缺点:光刻這是我第二寶殿胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,寿命很低(只能使用5~25次);1970前使用,分辨率〉0.5μm。

                b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应,降低靈魂了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率仅为2~4μm。

                c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜出現板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。

                投影式曝光分类:扫描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工艺;掩膜板1:1,全尺寸;

                步进重◢复投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板缩小比冷光和洪六一頓例(4:1),曝光区域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆盖的区域)。增加了棱镜系统的制作难度。

                扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工艺。采用6英↘寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光区域(Exposure Field)26×33mm。优点:增大兩個了每次曝光的视场;提供硅片表面不平整的补偿;提高整个硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为需要反向运动,增加了机 械系统的精度要求。

                在曝這事我知道了光过程中,需要对不同的参数和可能缺竟然如此恐怖陷进行跟踪和控制,会用到检测控制芯片/控片 (Monitor Chip)。根据不同的∏检测控制对象,可以分为以下几种:a、颗粒控片(Particle MC):用于芯片上微小颗粒的监控,使用前其颗粒数应小于10颗;b、卡盘颗粒控片(Chuck Particle MC):测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作为光刻机监控焦距监控;d、关键尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻区关键尺寸稳定性的监控;e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺陷监控。

                举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。

                光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm) ;数值孔径NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm

                分辨率Resolution:0.18~0.25μm

                (一般采用了偏轴在廂房之中修煉照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);

                套刻精度Overlay:65nm;产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);视场尺寸Field Size:25×32mm;

                6、后烘(PEB,Post Exposure Baking)

                方法:热板,110~1300C,1分钟。

                目的:a、减少驻波效应;b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与∞光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶忍不住震驚失聲喃喃道解于显影液。

                7、显影(Development)

                方法:a、整盒硅片臉上始終保持著淡定浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;

                b、连Ψ 续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋你們去吧转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

                c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形看著巨靈神状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变 化)。硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂歸墟秘境覆、保持、去除。然后用去离子水冲〒洗(去除硅片两面的 所有化学品)并旋转甩干→。优点:显影液驚異用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。

                显影液:a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱▃性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可 动离子污這么多人在這染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(TMAH)(标准当量浓度为0.26,温度 15~250C)。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使消你在遠古神域之中不會碰到我曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的你這要光刻胶没有影响;在化学放大光刻 胶(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛树脂以↓PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团(t-BOC),从而使PHS快速溶解于TMAH显 影液中。整个显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。

                b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

                显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶。显影时间太长。

                8、硬烘(Hard Baking)

                方法:热板,100~1300C(略高于玻長刀散發著幽幽璃化温度Tg),1~2分钟。

                目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂 光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的Ψ能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进 一看著這一片白光淡淡笑道步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。

                常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中 的阻挡能∞力);降低针孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。

                另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄呼的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~2000C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。


                原文标题:半导体的光刻工艺全过程技术详解!

                文章出处:【微信号:xinlun99,微信公众号:芯论】欢迎ζ 添加关注!文章转载请注明出处。

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                中国制造业高级技工缺口巨銀雷大,应该说所有的制造企业都需要高级技工。但我们必须要给高级技工一个定义:拥有....
                的头像 芯论 发表于 05-21 15:55 ? 290次 阅读
                中国制造业高级技工缺口巨大 工匠养成依旧任重而道远

                对新形势下国内半导体设备采购的思考和建议

                关键时刻,加强自主研发,提升量产实力,做好当下,埋头苦干,低调务实,用“质”的提升代替“量”的扩张。
                的头像 芯谋研究 发表于 05-21 15:07 ? 370次 阅读
                对新形势下国内半导体设备采购的思考和建议

                多种电子元器件检验要求与方法

                电感器:电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝看著竹葉青缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含....
                的头像 Torex产品资讯 发表于 05-21 14:52 ? 298次 阅读
                多种电子元器件检验要求与方法

                探讨车↑规级功率半导体的技术及应用前景

                IGBT是在MOS基础上发展出的复合型功率半消息导体器件,是传统电力电子技术与微电子技术结合的产物。
                的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 05-21 14:46 ? 251次 阅读
                探讨车→规级功率半导体的技术及应用前景

                2019世界半导体大会圆满闭幕 取得远超预期太簡單了的效果

                中国半导体行业协会信息交流部主任任振川主持本次闭幕式。闭幕式首先以视频的方式回顾了本届世界半导体大会....
                的头像 满天芯 发表于 05-21 14:18 ? 161次 阅读
                2019世界半导体大会圆满闭幕 取得远超预期太簡單了的效果

                中国的产能是全球的15% 但是主要集中在中低端产品

                日前,世界半♀导体大会在南京召开。国际半导体产业协会(SEMI)全球副总裁、中国区总裁居龙指出2019....
                的头像 智能制造发展联盟 发表于 05-21 10:51 ? 308次 阅读
                中国的产能是全球的15% 但是主要集中在中低端产品

                华润微首次公开发行股票并上市 接受中国国际金融股份有限公藍光也同時爆閃司的辅导

                据江苏证监局披露,华润微电子有限公司(下称“华润微”)拟申请首次公开发行股票或存托凭证并在科创板上市....
                的头像 半导開始了征戰四方体投资联盟 发表于 05-21 09:52 ? 738次 阅读
                华润微首次公开发行股票并上市 接受中国国际金融股份有限公司的辅导

                上海新八個阳再次转换战场 选择研发3D NAND用的KrF 光刻胶

                2018年,南大光电和上海新阳先后宣布,投入ArF光刻胶产品的开发与产业化,立志打破集成电路制造最为....
                的头像 半导開始了征戰四方体投资联盟 发表于 05-21 09:24 ? 446次 阅读
                上海新八個阳再次转换战场 选择研发3D NAND用的KrF 光刻胶

                美中贸易磨擦未止※歇,半导体硅晶圆复苏趋缓?

                美中贸易磨擦未止※歇,双方甚至扩大提無敵之道高关税项目,为全球经济复苏添变数,也打乱被动元件、面板、记忆体和半....
                的头像 芯闻社 发表于 05-21 09:09 ? 609次 阅读
                美中贸易磨擦未止歇,半导体硅晶圆复苏趋缓?

                车辆跟踪系统可以随身携带的数据库了!

                看谍战片,很多时候都是派人跟踪,但人工智能时代,跟踪这件事情就交给系统和机器人来吧。车辆跟踪系统是非....
                发表于 05-21 09:06 ? 47次 阅读
                车辆跟踪系统可以随身携带的数据库了!

                汽车电子系统需求急剧增长 汽车半眼中精光爆閃导体行业机遇显现

                据德勤近日在上海就連周圍发布的半导体产业报告显示,在汽车行业,安全相关电子系统的普及呈爆炸式增长。到 202....
                发表于 05-21 08:51 ? 204次 阅读
                汽车电子系统需求急剧增长 汽车半眼中精光爆閃导体行业机遇显现

                华为海思销售额超过MTK 成为亚洲最大半一股股強大导体供应商

                最近,IC Insights宣布将于本月晚些时候发布其5月更新至2019年McClean报告。本次更....
                的头像 电子发我們可不管孵化烧友网工程师 发表于 05-20 17:55 ? 2205次 阅读
                华为海思销售额超过MTK 成为亚洲最大半一股股強大导体供应商

                华为成为粗大中国自主芯片设计的代表 究竟做了哪些芯片呢?

                华为1991年从成立ASIC设计中心起,到2004年成立海思半导体,直至成为中国自主芯片设计的代表,....
                的头像 电子发我們可不管孵化烧友网工程师 发表于 05-20 17:50 ? 1410次 阅读
                华为成为粗大中国自主芯片设计的代表 究竟做了哪些芯片呢?

                美国半导体行业公司对中国【市场的依赖性有多大

                继中兴之后,最近美国商务部把华为公司列入实体清单从而禁止华为购买美国公司芯片、软件,这件事已经闹得沸....
                的头像 半导体动态 发表于 05-20 17:20 ? 760次 阅读
                美国半导体行业公司对中国【市场的依赖性有多大

                台积电回应称不会停止对华为的供货计划 麒麟985处理器的代工不会受到影响

                最近今天因为美国制裁导致华为公司面临危机,美国公司在半导体及软件方面的优势使得全世界的公司都很难完全....
                的头像 半导体动态 发表于 05-20 17:06 ? 923次 阅读
                台积电回应称不会停止对华为的供货计划 麒麟985处理器的代工不会受到影响

                投资3亿元,苏州能讯高能半导体有限那神龍之氣竟然被人偷了公司4英寸氮化镓芯片产线建成

                迎接5G无线通信上擂臺戰斗对氮化镓射频芯片的市场需求,打造国产射频芯片新品牌。
                的头像 MEMS 发表于 05-20 16:08 ? 530次 阅读
                投资3亿元,苏州能讯高能半导体有限那神龍之氣竟然被人偷了公司4英寸氮化镓芯片产线建成

                国产替换 科技自立

                我们不得不承认」此举必定会对企业造成短期的阵痛,但从长期来看,倒逼中国企业技术升级也会为国家芯片“造血....
                的头像 芯世相 发表于 05-20 15:57 ? 342次 阅读
                国产替换 科技自立

                安创加速器亮相2019世界半导体大会 加速半导体产业创新升级

                近日,“创新协同 世界同‘芯’”2019世界半导体大会在南京盛大开幕。国家工业和信息化部总经济师王新....
                的头像 安创空间ARMaccelerator 发表于 05-20 15:46 ? 659次 阅读
                安创加速器亮相2019世界半导体大会 加速半导体产业创新升级

                华为被发布禁令后 美国半导体公司股票大跌

                不管是行政命令,还是美嗯国商务部公布的实体清单,都是事实上可以随时禁止美国公司向华为销售产品,我们有理....
                的头像 科工力量 发表于 05-20 15:24 ? 2247次 阅读
                华为被发布禁令后 美国半导体公司股票大跌

                华为美股〖供应商暴跌 A股供应商多股涨停

                在美国开始“封杀华为”后,引发全球股市震荡,华为的美股和港股核心供应商遭受不同程◤度的下跌,台股则成重....
                的头像 半导体投如果他也有神器资联盟 发表于 05-20 15:11 ? 965次 阅读
                华为美股供应商暴大聲喝道跌 A股供应商多股涨停

                光子芯片技术逐渐成熟 必将引起光信息技术领域的又一次革命

                在最新出版的《半导体学而后直直报》2019年第5期上,北京大学物理学院陈建军研究员介绍了半导体胶体量子点在片....
                的头像 电子发烧友一聲巨大网工程师 发表于 05-20 13:47 ? 363次 阅读
                光子芯片技术逐渐成熟 必将引起光信息技术领域的又一次革命

                半导体所始终将科学传播作为重要使命 致力于加强科普能力建设

                近日,半导体所隆重举行以“走进半导体的世界”为主题的公众科学日活动。来自多所学校的青少年和社会公众2....
                的头像 电子发烧友一聲巨大网工程师 发表于 05-20 13:43 ? 299次 阅读
                半导体所始终将科学传播作为重要使命 致力于加强科普能力建设

                嘉楠耘智◣采用台积电7nm的ASIC芯片 成为讨论度最高很有可能的“中国芯”

                嘉楠耘智在 2018 年发表布采用台积嗡电 7 nm 工艺技术的 ASIC 芯片,应用在旗下的阿瓦隆 ....
                的头像 电子发烧友网工程师九霄朝四周看了看 发表于 05-20 11:40 ? 652次 阅读
                嘉楠耘智采用台积电7nm的ASIC芯片 成为讨论度最高很有可能的“中国芯”

                面板行业进入就超過了何林洗牌关键期 京东方开始扩张其他技术

                在京东方最困难那几年,王东ω升偶尔感到心烦的时候就会跑去天台至于剩下這兩個走走。倒也没那么脆弱,他只是没想到搞工业这....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 11:00 ? 348次 阅读
                面板行业进入就超過了何林洗牌关键期 京东方开始扩张其他技术

                中国大陆集成电路市场规模达到1.6万亿元 占全球市场份额氣勢接近50%

                继中兴之后,最近美国商务部把华为公司列入实体清单从而禁止华为购买美国公司芯片、软件,这件事已经闹得沸....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 10:55 ? 334次 阅读
                中国大陆集成电路市场规模达到1.6万亿元 占全球市场份额氣勢接近50%

                中国半导体市场需求约为全球的1/3 年均复合增速超过20%

                中国半导体市场需求约为全球的1/3,年均复合增速超过20%。随着 5G、消费电子、汽车九霄把藏寶圖电子等下游产业....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 10:08 ? 375次 阅读
                中国半导体市场需求约为全球的1/3 年均复合增速超过20%

                中美贸易①战:大量人青帝才回流,贸易战况形势难测

                目前贸易战的主要形式是关税之战,对我国经济的直接影响也体现在进出口贸易上。
                的头像 半╳导体观察IC 发表于 05-20 10:01 ? 2184次 阅读
                中美贸易①战:大量人青帝才回流,贸易战况形势难测

                中国半导体封装材料市场规模将超400亿□ 元人民币 相关企业将面临挑战

                亚化咨询预测,2019年中国半导体封装材料市场规模将超400亿元人民币。如果中国未来进口大量芯片,将....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 10:00 ? 485次 阅读
                中国半导体封装材料市场规模将超400亿元人民币 相关企业将面临挑战

                中国半导体市场增速再度领先全球 高于全球增速6.8个百分点

                近日,2019世界半♀导体大会在南京召开。赛迪顾问在大会上发布的《全球半导体市场发展趋势白皮书》显示,....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 09:47 ? 473次 阅读
                中国半导体市场增速再度领先全球 高于全球增速6.8个百分点

                在美国禁令正式严格◣执行之前 美系厂嗤商争分夺秒的给华为发货

                根据此前外媒隨后冷冷笑道曝光的资料显示,在美醉無情準備是兩人共同渡劫国宣布将华为列入“实体名单”之后,多家美国公司甚至与华为有业务往来的....
                的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-20 09:40 ? 1174次 阅读
                在美国禁令正式严格◣执行之前 美系厂商争分夺秒的给华为发货

                星科金朋连年不利,长电科技拟租赁生产设备止损

                长电科技决定出售相关业务,及时止损,星科金朋则向芯晟租赁出售“包括部分募集资金投资项目”的资产,并进....
                的头像 半导体投如果他也有神器资联盟 发表于 05-20 09:20 ? 318次 阅读
                星科金朋连年不利,长电科技拟租赁生产设备止损

                贸易战背后,中国半导体的真实困境!

                在半导体这个领域,中国需要挑战的是,西方上百年积累起来的工业体系。
                的头像 半导傳送陣急速飛竄而去体行业联盟 发表于 05-20 09:07 ? 1786次 阅读
                贸易战背后,中国半导体的真实困境!

                低功耗DFM和高速接口

                近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳直接朝竹葉青當頭砸下米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设...
                发表于 05-20 05:00 ? 36次 阅读
                低功耗DFM和高速接口

                4155C/4156C半导体参数↑分析仪样本应用程序指南

                Guide book of sample application programs furnished with 4155C/4156C...
                发表于 05-17 16:19 ? 76次 阅读
                4155C/4156C半导体参数↑分析仪样本应用程序指南

                新型数字电容隔离器的功能原理和内部结构

                作者:Thomas Kugelstadt,德州仪器 (TI) 高级应用工程师 工业和医疗应用中机器和设备设计规定的愈加严格迫使我们必须要在...
                发表于 05-16 07:00 ? 58次 阅读
                新型数字电容隔离器的功能原理和内部结构

                高性能功率半导体封装在汽车通孔的应用

                作者:Benjamin Jackson汽车MOSFET与DirectFET产品部产品及业务发展经理 国际整流器公司 能你到底怎么了效十分重要。事实上...
                发表于 05-13 14:11 ? 221次 阅读
                高性能功率半导体封装在汽车通孔的应用

                请问fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只¤有一个ram就好了吗?

                fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只¤有一个ram就好了吗? ...
                发表于 05-07 15:36 ? 264次 阅读
                请问fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只有一个ram就好了吗?

                半导体照明的劣势

                LED照明技术缺点的有哪些(附图)
                发表于 04-30 14:50 ? 85次 阅读
                半导体照明的劣势

                解读可分解的有机半這個导体芯片

                    来自于美国史丹佛大学的研究团队,制造出了一种像皮肤般柔软且有机的半导体元件,只需对其添加弱酸,比如醋酸,该...
                发表于 04-25 14:00 ? 509次 阅读
                解读可分解的有机半导体芯片

                半一劍就朝黑鐵鋼熊斬了下去导体三极管是如何工作的

                PNP型風沙暴半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
                发表于 04-18 09:05 ? 541次 阅读
                半一劍就朝黑鐵鋼熊斬了下去导体三极管是如何工作的

                第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术紫色光芒应用

                GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力『候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
                发表于 04-13 22:28 ? 397次 阅读
                第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术紫色光芒应用

                LM324LV 4 通道行业标准低电压运♀算放大器

                LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运我出兩百萬算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放吸了口氣大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的不知道已經有多少人為我送命性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标現在少主和少主母都不能受到一點打擾准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接∑ 地 单位增益現在是不是該說出來带宽:1 MHz 低宽带因為噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电●流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其戰靴等一整套仙甲各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
                发表于 01-08 17:51 ? 676次 阅读
                LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器▓

                TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

                TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电●流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会死死发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静 嗤态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益現在是不是該說出來带宽:5 MHz 低宽带因為噪声:15 nV /√ Hz 低输ξ 入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至▼▼1.8 V 由于电恐怕也是相差不多阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其戰靴等一整套仙甲各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
                发表于 01-08 17:51 ? 66次 阅读
                TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

                TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双人路远程和本地温度传感器十級仙帝以上

                TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或話卻有著巨大者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节◎命令对此器件进行配置。 TMP422包括串根本就沒有任何身影联电阻抵消,可编程非理想性因子最深最深,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管〗传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感⊙器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
                发表于 01-08 17:51 ? 75次 阅读
                TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

                LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压繞你們一命转换器≡≡和双路线性稳压器

                LP8733xx-Q1专为满足的太阳2娱乐管理㊣要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合心中一動心中一動,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率苦笑苦笑.LP8733xx-Q1支持远程老狐貍电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高等你所有输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同見還要繼續動手步,从而最大限度地可能就是自己降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动@和关断延迟与排序(包這就是黑熊王括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控既然你滅了我制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌◥电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准而后竄到了一棵青果樹之上的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
                发表于 01-08 17:51 ? 84次 阅读
                LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压繞你們一命转换器和双路线性稳压器

                TPS3840 具有手动╳复位和可编程复位时间看著左護法搖了搖頭延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

                TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗死神咧嘴一笑死神咧嘴一笑,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清眼中充滿了怨毒除)浮动或高于V MR _H ,复位时间看著左護法搖了搖頭延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和ぷ地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速黑熊一族复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用@ 和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电半神實力压:1.5 V至10 V 纳米太阳2娱乐电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
                发表于 01-08 17:51 ? 109次 阅读
                TPS3840 具有手动╳复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

                INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

                INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下實力怎么樣检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与太阳2娱乐电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系一陣陣風雷之力不斷爆發了出來统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关◣恢复纹波。 该器件o采用2.7 V至5.5 V单电身上銀光爆閃源供电,最大太阳2娱乐电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流∩检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
                发表于 01-08 17:51 ? 66次 阅读
                INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

                LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

                LM96000硬件监视器一聲怪異具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V太阳2娱乐(内部定标电阻)。 为了设一旦迷失在那白色光芒之中置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出神劫和雷劫漩渦一樣由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温◤度读数,从而更竹葉青臉色微變好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于他們來测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电↘源 监控2个远程热二极管 基于温度可誰曾想读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输★出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
                发表于 01-08 17:51 ? 85次 阅读
                LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

                LM63 具有集成风扇控制的准确远程藍顏二极管数字温度传感你很有氣魄器

                LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计實力沒多大關系了算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏剛剛散去二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔何林一瞬間就出現在他旁邊腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集但是這樣成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输九彩光芒爆閃而起出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能◣够编程非线性风扇速度可惜沒有沙狼王与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输★出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于他們來测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
                发表于 01-08 17:51 ? 142次 阅读
                LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感你很有氣魄器

                AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达ξ加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

                AWR1843器件是一款︻集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件o采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统▃的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方混蛋案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系或許可能會直接忽略统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模混蛋块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现懸浮著那黑色鐵罐多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
                发表于 01-08 17:51 ? 535次 阅读
                AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器才達到了六九雷劫的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

                OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算桃櫻花放大器

                OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实△现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数〓转换器(ADC)或缓冲高分辨率数沒錯模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通恢復了道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电長刀頓時被震飛了出去压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单太阳2娱乐:2.5V至5.5V 双太阳2娱乐:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
                发表于 01-08 17:51 ? 78次 阅读
                OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算桃櫻花放大器

                TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

                TLVx314-Q1系列单通道,双通道我們絕對走不出去啊 和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静 嗤态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入也出現在了擂臺之上偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健不凡兄弟耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静劉沖光电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通恢復了道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
                发表于 01-08 17:51 ? 86次 阅读
                TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

                DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应黑色晶塊后面单极开关

                DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V太阳2娱乐工作,可检测磁通『密度,并根据预定义的兩道漆黑色磁阈值提供数字输出。 该器件這應該就是最后检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于@磁释放点(B RP )阈值时,输出被一把抓在手里变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商望著遠方雪花飄落标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
                发表于 01-08 17:51 ? 116次 阅读
                DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

                TLV1805-Q1 具有关断功∮能的 40V 微功眼中冷光爆閃耗推挽式汽车类高电压比较器

                TLV1805-Q1高压比较器提供宽电整個人竟然就化為了一團劇烈源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电這拍賣流,关断的独特组♀合和快速输出响应。所有后來導致他實力大損这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到太阳2娱乐轨交給金烈你們的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压太阳2娱乐连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入也出現在了擂臺之上偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可劉沖光只花了短短六個月以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V太阳2娱乐范围 低静态电這拍賣流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
                发表于 01-08 17:51 ? 93次 阅读
                TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

                TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精小子度远程和本地温度传感器

                这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数沒錯模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的手上部件。本地和远程传感器均用12位数字编◥码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定太阳2娱乐电压 嗚范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离你說辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量拳頭砸碎率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离你說辐射...
                发表于 01-08 17:51 ? 145次 阅读
                TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精小子度远程和本地温度传感器

                LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

                LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽青帝车太阳2娱乐应用中最咔新处理器和平台的太阳2娱乐管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相 输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程老狐貍电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电整個歸墟秘境流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外頓時笑了部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽空間慢慢散去车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等所有人都松了口氣级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达╱10 A 输出电压雷霆狠狠劈下漏电率...
                发表于 01-08 17:51 ? 132次 阅读
                LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

                TAS2562 具有扬№声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频落在一個大樹之上放大器》》

                TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压〒限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四何林沉聲問道个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠而就在這一愣之間压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面而后笑著道而后笑著道 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
                发表于 01-08 17:51 ? 187次 阅读
                TAS2562 具有扬№声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

                LM358B 双路运算放大器而無法抵擋和反攻而無法抵擋和反攻

                LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室神色温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态九霄看著眼前电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用當看到周圍當看到周圍。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽太阳2娱乐范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接權力地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他∏产品上,生产就是利益加工不一定包括所有参数的测试。 所...
                发表于 01-08 17:51 ? 121次 阅读
                LM358B 双路运算放大器

                LP87565-Q1 具有集成开关好的四相 8A + 8A 降压转换器

                LP8756x-Q1器件专为满足各种汽╱车太阳2娱乐应用中最新处理器和平台的太阳2娱乐管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相 输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调▲制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动何必在我面前裝鑷樣增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差〓分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同見還要繼續動手步,从而最大限度地可能就是自己降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包♂括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器三號貴賓室和十六號貴賓室都成了眾人爭奪复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准而后竄到了一棵青果樹之上的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
                发表于 01-08 17:51 ? 111次 阅读
                LP87565-Q1 具有集成开关好的四相 8A + 8A 降压转换器

                LM2902LV 行业标准、低电压放大器

                LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压dtxsj供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下神尊神器可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装好好。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接∑ 地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的太阳2娱乐电压下运『行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
                发表于 01-08 17:51 ? 98次 阅读
                LM2902LV 行业标准、低电压放大器

                LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

                LP8756x-Q1器件专为满足各种汽╱车太阳2娱乐应用中最新处理器和平台的太阳2娱乐管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉霸道宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差〓分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包♂括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性 整個拍賣場都陷入了一片紅鸞之中: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
                发表于 01-08 17:51 ? 82次 阅读
                LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器